近年來，石墨烯作為一種新型的碳材料，因其許多獨特優(yōu)異的性質(zhì)引起了人們的廣泛關注和極大興趣。石墨烯的可控制備是開展石墨烯基礎研究和應用開發(fā)的前提，是目前亟待解決的重大科學問題之一。在眾多石墨烯的制備方法中，化學氣相沉積法（CVD）因兼有高質(zhì)量和宏量制備的優(yōu)點已成為石墨烯生長的最重要方法之一。

　　最近，中國科學院化學研究所有機固體重點實驗室與北京大學、北京師范大學和清華大學的相關科研人員利用CVD方法在高質(zhì)量石墨烯的可控制備方面取得重要系列進展，有關研究結果發(fā)表在Adv. Mater.及Adv. Funct. Mater.上。

圖1 級次結構石墨烯的疊層生長（左）和《先進材料》內(nèi)封底（右）

　　級次結構石墨烯的疊層生長：采用CVD方法，以液態(tài)銅為催化劑，以甲烷為碳源，通過調(diào)控Ar和H2流速的比例，獲得了一系列具有三維結構的石墨烯復合體(圖1左)。該復合體具有高度六重對稱性，并且具有明顯的級次層疊結構。該工作首次將石墨烯的三維生長和形貌調(diào)控與非平衡體系下動力學調(diào)控有機結合，原理上可推廣到其他二維原子晶體材料。另外，該級次結構的石墨烯復合體具有各向異性的電學性能。相關研究結果發(fā)表在《先進材料》上(Adv. Mater. 2014, 26, 3218.), 并被選為內(nèi)封底（圖1右）。

圖2 大面積自組裝的單晶石墨烯陣列（左）和《先進功能材料》封面（右）

　　單晶石墨烯陣列的制備：采用CVD方法，通過調(diào)節(jié)CH4和H2流速的比例實現(xiàn)了大面積六角單晶石墨烯陣列的可控制備（圖2左），優(yōu)化生長條件可有效調(diào)控單晶石墨烯陣列的密度和尺寸，該種行為與高溫下液態(tài)銅催化劑的表面流動性密切相關。此外，基于單晶石墨烯的場效應器晶體管件顯示了良好的電學性能，為石墨烯的大規(guī)模應用奠定了基礎。大面積自組裝排列的單晶石墨烯陣列將促進大規(guī)模、高質(zhì)量石墨烯制備領域的發(fā)展，并有望在石墨烯未來的器件應用中發(fā)揮重要的作用。該研究結果發(fā)表在《先進功能材料》上(Adv. Funct. Mater. 2014, 24, 1664.),并被選為封面文章（圖2右）。